IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB35N10S3L26ATMA1 tarafından Infineon ve IPD5N25S3430ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB35N10S3L26ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (planar-trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 20 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Paket — PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single, 3-pin (2+Tab)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin