IPB35N10S3L26ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPB35N10S3L26ATMA1 توسط Infineon و IPD5N25S3430ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPB35N10S3L26ATMA1 | IPD5N25S3430ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 35 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 71 W | — |
| Package Type | PG-TO263-3 (D2PAK-2) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RDS(on) (typical per Infineon product page) | 26.3 mΩ | — |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80 nC | — |
| Maximum Drain-Source Resistance Rds | 1.7 mΩ (per RS Components listing) | — |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | — |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81 W (per RS Components listing) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS (planar-trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 20 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 430 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V typ / 4 V max |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 422 pF typical |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 41 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| بسته‌بندی | — | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead Finish | — | Matte Tin (lead-free) |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | — | Single, 3-pin (2+Tab) |