IPD068N10N3GATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD068N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB024N10N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD068N10N3GATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Paket PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family policy)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin