IPD068N10N3GATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD068N10N3GATMA1 توسط Infineon و IPB024N10N5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD068N10N3GATMA1 IPB024N10N5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
محدوده دمای کاری — -55C to +175C (junction)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
بدون هالوژن — Yes (per Infineon product family policy)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت