IPD068N10N3GATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD068N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IPB024N10N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD068N10N3GATMA1 IPB024N10N5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
מארז PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +175C (junction)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
נטול הלוגנים — Yes (per Infineon product family policy)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר