IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD35N10S3L26ATMA1 tarafından Infineon ve IPD35N10S3L26ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD35N10S3L26ATMA1 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD35N10S3L26ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 35 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V | — |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 71 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Green product (halogen-free) | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 35 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Pin Sayısı | — | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |