IPD50R399CPATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50R399CPATMA1 tarafından Infineon ve IPD65R380E6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD50R399CPATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CP | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 500 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 9 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 83 W | — |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | 0.399 ohm | — |
| Paket | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS CP (superjunction) | Superjunction (CoolMOS™) |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Configuration | Single | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Datasheet Series | IPD50R399CP | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| MSL Seviyesi | — | 1 |