IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R145CFD7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R1K4P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R145CFD7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) N-Channel Superjunction
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
Paket TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO252-2 (DPAK)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) Integrated, fast recovery
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
Montaj Türü Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Güç Tüketimi (Ptot) — 32 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
REACH Status — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin