IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R145CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R1K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R145CFD7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) N-Channel Superjunction
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
پیکیج TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO252-2 (DPAK)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) Integrated, fast recovery
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
پاور ڈسپیشن (Ptot) — 32 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
REACH Status — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں