IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R145CFD7ATMA1 توسط Infineon و IPD80R1K4P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R145CFD7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) N-Channel Superjunction
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO252-2 (DPAK)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) Integrated, fast recovery
دمای کاری -55C to +150C (junction) —
نوع نصب Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
اتلاف توان (Ptot) — 32 W
دمای اتصال کاری — -55C to +150C
REACH Status — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت