IPD60R180P7ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R180P7ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N04S6L030HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R180P7ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C 72 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C -55 C to +175 C
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Shipping Package Tape and Reel (ATMA1 suffix) —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin