IPD60R180P7ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD60R180P7ATMA1 bằng Infineon và IAUC60N04S6L030HATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD60R180P7ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C 72 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C -55 C to +175 C
Hộp PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Shipping Package Tape and Reel (ATMA1 suffix) —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá