IPD60R380C6ATMA1 vs IPD60R600C6 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R380C6ATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R600C6 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R380C6ATMA1 IPD60R600C6
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction Superjunction (CoolMOS)
FET Type N-Channel N-Channel
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS C6
Drain-to-Source Voltage (V DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I D) at T C = 25 C — 7.3 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R DS(on)) max at V GS = 10 V — 600 mOhm
Maximum Power Dissipation (P D) at T C = 25 C — 63 W
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical and minimum]
Gate Charge (Q G) typical — [DATA_NEEDED: Q G value]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin