IPD65R225C7ATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD65R225C7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R380C6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD65R225C7ATMA1 IPD60R380C6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS C7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology Super-junction (SJ) / CoolMOS CoolMOS C6 Superjunction
Drain-Source Voltage (VDSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 11 A —
Power Dissipation (PD) at TC 63 W —
On-Resistance RDS(on) max 225 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (2 + tab) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
FET Type — N-Channel
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin