IPD65R225C7ATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD65R225C7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R380C6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD65R225C7ATMA1 | IPD60R380C6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS C7 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Super-junction (SJ) / CoolMOS | CoolMOS C6 Superjunction |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 11 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 63 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 225 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 3 (2 + tab) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 10.6 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 380 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 83 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55C to +150C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Tab Connection | — | Exposed pad (electrically connected to drain) |