IPD70N10S312ATMA2 vs BSC076N06NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD70N10S312ATMA2 tarafından Infineon ve BSC076N06NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD70N10S312ATMA2 BSC076N06NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2.0 V to 3.5 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +150C
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life) 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes —
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
RoHS Compliance — Compliant
Klorürsüz — Yes (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin