IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD80R2K4P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R1K4P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R2K4P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 2.5A N-Channel MOSFET | Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPD80R2K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | N-Channel Superjunction | MOSFET (Metal Oxide), Superjunction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Güç Tüketimi (Ptot) | 32 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Part Number | — | IPD80R2K4P7ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | 2.5 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 22 W |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 2000 mOhm |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Pins | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (junction) |
| Part Status | — | Active |