IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD80R2K4P7ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD80R1K4P7ATMA1 bằng Infineon và IPD80R2K4P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 2.5A N-Channel MOSFET | Infineon
IPD80R2K4P7ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPD80R2K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | N-Channel Superjunction | MOSFET (Metal Oxide), Superjunction |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Tiêu hao điện năng (Ptot) | 32 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Part Number | — | IPD80R2K4P7ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | 2.5 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 22 W |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 2000 mOhm |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Pins | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (junction) |
| Part Status | — | Active |