IPD80R280P7ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R280P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPC100N04S51R7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD80R280P7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Technology Superjunction (CoolMOS P7) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C -55 °C to +175 °C
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Green Product)
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260 °C peak reflow)
Series — OptiMOS-5
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Built-in Body Diode — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin