IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N04S4L08ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N06S4L14AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
İşletim Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket / Kas PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% (per datasheet)
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 50 W
RDS(on) at VGS=10V — 13.7 mΩ typical
RDS(on) at VGS=4.5V — 14 mΩ typical
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Logic-Level Gate Drive — Yes
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (junction)
Paket — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Peak Reflow Temperature — 260°C
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Technology — OptiMOS™ Trench

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin