IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPG20N04S4L08ATMA1 توسط Infineon و IPG20N06S4L14AATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 8.2mΩ OptiMOS-T2 | Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IPG20N04S4L08ATMA1 | IPG20N06S4L14AATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPG20N04S4L08ATMA1 | IPG20N06S4L14AATMA1 |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 20 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A | 8.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 54 W | — |
| دمای کاری | -55°C to +175°C | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 | — |
| سطح MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | 100% (per datasheet) |
| RoHS / Green | RoHS Compliant, Green Product | — |
| Part Status | Active | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 50 W |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 13.7 mΩ typical |
| RDS(on) at VGS=4.5V | — | 14 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Logic-Level Gate Drive | — | Yes |
| محدوده دمای کاری | — | -55°C to +175°C (junction) |
| بسته‌بندی | — | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Peak Reflow Temperature | — | 260°C |
| RoHS Compliance | — | Green Product (RoHS compliant) |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |
| Technology | — | OptiMOS™ Trench |