IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N04S4L08ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N06S4L14AATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج / کیس PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% (per datasheet)
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 50 W
RDS(on) at VGS=10V — 13.7 mΩ typical
RDS(on) at VGS=4.5V — 14 mΩ typical
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Logic-Level Gate Drive — Yes
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C (junction)
پیکیج — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Peak Reflow Temperature — 260°C
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Technology — OptiMOS™ Trench

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں