IPG20N06S4L14AATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N06S4L14AATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N04S4L08ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Power Dissipation (PD) 50 W —
RDS(on) at VGS=10V 13.7 mΩ typical —
RDS(on) at VGS=4.5V 14 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Logic-Level Gate Drive Yes —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (junction) —
Paket PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Tested 100% (per datasheet) 100% Avalanche Tested
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Technology OptiMOS™ Trench —
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Paket / Kas — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
MSL Seviyesi — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin