IPG20N06S4L14AATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPG20N06S4L14AATMA1 מאת Infineon ו IPG20N04S4L08ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 8.2mΩ OptiMOS-T2 | Infineon
IPG20N04S4L08ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPG20N06S4L14AATMA1 | IPG20N04S4L08ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPG20N06S4L14AATMA1 | IPG20N04S4L08ATMA1 |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 50 W | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 13.7 mΩ typical | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | 14 mΩ typical | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Logic-Level Gate Drive | Yes | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C (junction) | — |
| מארז | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Peak Reflow Temperature | 260°C | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | 100% Avalanche Tested |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| Technology | OptiMOS™ Trench | — |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | — | 20 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A | — | 8.2 mΩ |
| Power Dissipation (Pd) | — | 54 W |
| טמפרטורת פעולה | — | -55°C to +175°C |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) |
| Series | — | OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 |
| רמת MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) |
| RoHS / Green | — | RoHS Compliant, Green Product |
| Part Status | — | Active |