IPN60R360P7SATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN60R360P7SATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N04LSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN60R360P7SATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 40 V
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C
Paket PG-SOT223 (Surface Mount) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
Klorürsüz Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
Pin Sayısı 3 functional + tab (PG-SOT223) —
Body Diode Integrated, fast-recovery —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin