IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN95R3K7P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPN60R2K0PFD7SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPN95R3K7P7ATMA1 | IPN60R2K0PFD7SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | CoolMOS superjunction |
| Paket | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-SOT223-3-1 (SOT-223) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +150 C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (per Newark listing) |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Series | — | CoolMOS PFD7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 3 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 6 W |
| RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 2.0 Ohm |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.626 Ohm (per Infineon product page) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |