IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPN95R3K7P7ATMA1 توسط Infineon و IPN60R2K0PFD7SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPN95R3K7P7ATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS superjunction
بسته‌بندی PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-SOT223-3-1 (SOT-223)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (per Newark listing)
Lead-Free Yes —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Series — CoolMOS PFD7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (Tc) — 3 A
Power Dissipation (Tc) — 6 W
RDS(on) typical @ VGS=10V — 2.0 Ohm
RDS(on) max @ VGS=10V — 1.626 Ohm (per Infineon product page)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing)
Input Capacitance (Ciss) — 134 pF @ 400 V (per UTMel listing)
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت