IPP075N15N3GXKSA1 vs IPB100N12S305ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP075N15N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPB100N12S305ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP075N15N3GXKSA1 IPB100N12S305ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Paket PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Series — OptiMOS 5 120V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) — 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Avalanche Energy (EAS) — 1445 mJ
Paket / Kas — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin