IPP075N15N3GXKSA1 vs IPB100N12S305ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP075N15N3GXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPB100N12S305ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPP075N15N3GXKSA1 | IPB100N12S305ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 7.5 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] | — |
| پیکیج | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | RoHS Compliant | — |
| Ordering Code Suffix | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 120V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) | — | 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 1445 mJ |
| پیکیج / کیس | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |