IPT017N12NM6ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT017N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IPT015N10NF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPT017N12NM6ATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| Paket | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Pin Sayısı | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Tek Darbe Yıldırım Enerjisi | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |