IPT017N12NM6ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT017N12NM6ATMA1 מאת Infineon ו IPT015N10NF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPT017N12NM6ATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| מארז | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מספר פינים | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| אנרגיית מפולת בפולס בודד | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |