IR2109SPBF vs IR2010SPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2109SPBF tarafından Infineon ve IR2010SPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2109SPBF IR2010SPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (independent high/low-side outputs)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Artış Süresi 200 ns —
Düşüş Süresi 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
İşletim Jant Sıcaklığı -40 C to +150 C —
Paket SOIC-8 16-SOIC (SOIC-16)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Configuration — Half-Bridge (high + low side)
Offset Voltage (max) — 200 V
Peak Source/Sink Current — 3 A / 3 A
Logic Input Compatibility — CMOS or LSTTL, down to 3.0 V
Propagation Delay (typ) — 95 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
VCC Supply Voltage (low side) — 10 V to 20 V
VB Bootstrap Supply (high side) — VCC + 10 V to VCC + 20 V
İşletim Sıcaklığı — -40C to +150C
Shutdown Feature — Yes (active input)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drive Technology — High-speed power MOSFET / IGBT driver
Channel Matching — Matched propagation delays for cross-conduction minimization

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin