IR2109SPBF vs IR2010SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2109SPBF מאת Infineon ו IR2010SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2109SPBF IR2010SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (independent high/low-side outputs)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
זמן עלייה 200 ns —
זמן ירידה 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
טמפרטורת צומת פעולה -40 C to +150 C —
מארז SOIC-8 16-SOIC (SOIC-16)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Configuration — Half-Bridge (high + low side)
Offset Voltage (max) — 200 V
Peak Source/Sink Current — 3 A / 3 A
Logic Input Compatibility — CMOS or LSTTL, down to 3.0 V
Propagation Delay (typ) — 95 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
VCC Supply Voltage (low side) — 10 V to 20 V
VB Bootstrap Supply (high side) — VCC + 10 V to VCC + 20 V
טמפרטורת פעולה — -40C to +150C
Shutdown Feature — Yes (active input)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drive Technology — High-speed power MOSFET / IGBT driver
Channel Matching — Matched propagation delays for cross-conduction minimization

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר