IR2109SPBF vs IR2010SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2109SPBF توسط Infineon و IR2010SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2109SPBF IR2010SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2 (independent high/low-side outputs)
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
زمان صعود 200 ns —
زمان افت 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
دمای اتصال کاری -40 C to +150 C —
بسته‌بندی SOIC-8 16-SOIC (SOIC-16)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Configuration — Half-Bridge (high + low side)
Offset Voltage (max) — 200 V
Peak Source/Sink Current — 3 A / 3 A
Logic Input Compatibility — CMOS or LSTTL, down to 3.0 V
Propagation Delay (typ) — 95 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
VCC Supply Voltage (low side) — 10 V to 20 V
VB Bootstrap Supply (high side) — VCC + 10 V to VCC + 20 V
دمای کاری — -40C to +150C
Shutdown Feature — Yes (active input)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drive Technology — High-speed power MOSFET / IGBT driver
Channel Matching — Matched propagation delays for cross-conduction minimization

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت