IRF1310NSTRLPBF vs IPTC039N15NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1310NSTRLPBF tarafından Infineon ve IPTC039N15NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF1310NSTRLPBF IPTC039N15NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket D2PAK (TO-263AB) PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 5 trench
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 190 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 319 W
On-Resistance RDS(on) typical — 3.9 mOhm
Gate Charge Qg typical — 74 nC
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +175 C (junction)
Cooling — Top-side cooled (case above PCB)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin