IRF1310NSTRLPBF vs IPTC039N15NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1310NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IPTC039N15NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF1310NSTRLPBF IPTC039N15NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263AB) PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 5 trench
Built-in Diode Yes (intrinsic body diode) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Configuration Single with built-in diode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 190 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 319 W
On-Resistance RDS(on) typical — 3.9 mOhm
Gate Charge Qg typical — 74 nC
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +175 C (junction)
Cooling — Top-side cooled (case above PCB)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں