IRF2907ZSTRLPBF vs IRFB4110PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF2907ZSTRLPBF tarafından Infineon ve IRFB4110PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF2907ZSTRLPBF IRFB4110PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $1,55
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 170 A —
Devamlı Akım Akışı (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Technology IR HEXFET / IR MOSFET HEXFET (planar DMOS)
Paket D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-220AB (through-hole)
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Montaj Türü Surface Mount (SMD) Through Hole
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin