IRF2907ZSTRLPBF vs IRFB4110PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF2907ZSTRLPBF bằng Infineon và IRFB4110PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF2907ZSTRLPBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | — | $1,55 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 75 V | — |
| Trực流连续电流 (TC=25°C) | 170 A | — |
| Trực流连续电流 (TC=100°C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | 4.5 mOhm | — |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | 3.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | 300 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| Technology | IR HEXFET / IR MOSFET | HEXFET (planar DMOS) |
| Hộp | D2PAK (TO-263AB) surface mount | TO-220AB (through-hole) |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (SMD) | Through Hole |
| Packaging | Tape and Reel (left orientation) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |