IRF2907ZSTRLPBF vs IRFB4110PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF2907ZSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFB4110PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF2907ZSTRLPBF IRFB4110PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $1.55
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 75 V —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 170 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
RDS(on) max at VGS = 10 V 4.5 mOhm —
RDS(on) typical at VGS = 10 V 3.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) 300 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Technology IR HEXFET / IR MOSFET HEXFET (planar DMOS)
پیکیج D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-220AB (through-hole)
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMD) Through Hole
Packaging Tape and Reel (left orientation) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Avalanche Rating Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں