IRF7103TRPBF vs IRF7341GTRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7103TRPBF tarafından Infineon ve IRF7341GTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7103TRPBF | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7103TRPBF | — |
| FET Type | Dual N-Channel | — |
| Configuration | Common Source, Dual Die | Dual N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3 A | 5.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 130 mOhm @ VGS=10V | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 0.11 ohm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (TJ) | -55 C to +175 C |
| Paket | SO-8 (PG-DSO-8-902) | 8-SO (SOIC-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Soldering Method | Vapour phase, infrared, wave soldering | — |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Lead-Free | Yes (Pb-free per TRPBF suffix) | Yes (PBF suffix) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | — | 2.4 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |