IRF7341GTRPBF vs IRF7380TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7341GTRPBF tarafından Infineon ve IRF7380TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7341GTRPBF | IRF7380TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 5.1 A | 3.6 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) | 2.4 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Configuration | Dual N-Channel | Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) |
| Technology | IR HEXFET Planar MOSFET | IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) |
| Paket | 8-SO (SOIC-8) | SO-8 (8-SO, SOIC-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7380TRPBF |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 73 mOhm at VGS = 10 V |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +150 C |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free plating, suffix PBF) |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix TR) |
| Primary Application | — | High-frequency DC-DC converters |