IRF7469TRPBF vs IRF7495TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7469TRPBF tarafından Infineon ve IRF7495TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7469TRPBF | IRF7495TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | 9 A | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 17 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C (Tj) | -55 C to +150 C (TJ) |
| Paket | 8-SO (SOIC-8) | 8-SOIC (SO-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C | — | 7.3 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | 34 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) Max | — | 1530 pF at 25 V |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C | — | 2.5 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Estimated EOL Date | — | 2027 |
| ECCN | — | EAR99 |