IRF7469TRPBF vs IRF7495TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7469TRPBF توسط Infineon و IRF7495TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF - 100V 7.3A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF7495TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7469TRPBF IRF7495TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C (Tj) -55 C to +150 C (TJ)
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) 8-SOIC (SO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C — 7.3 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — 34 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) Max — 1530 pF at 25 V
Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C — 2.5 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Estimated EOL Date — 2027
ECCN — EAR99

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت