IRF7469TRPBF vs IRF7495TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF7469TRPBF bằng Infineon và IRF7495TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF7469TRPBF | IRF7495TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | 9 A | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 17 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C (Tj) | -55 C to +150 C (TJ) |
| Hộp | 8-SO (SOIC-8) | 8-SOIC (SO-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C | — | 7.3 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | 34 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) Max | — | 1530 pF at 25 V |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25 C | — | 2.5 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Estimated EOL Date | — | 2027 |
| ECCN | — | EAR99 |