IRFB7534PBF vs IRFB52N15DPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB7534PBF tarafından Infineon ve IRFB52N15DPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFB7534PBF IRFB52N15DPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7534PBF —
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell)
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 195 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 294 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.7 V (typ) —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Paket TO-220AB —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
RoHS Durumu Compliant (PbF suffix) Compliant
MSL Seviyesi MSL1 (unlimited floor life) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 51 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 204 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 32 mOhm at VGS=10V
Total Gate Charge (Qg) — 60 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 230 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Package Type — TO-220AB (through-hole)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free PBF suffix)
Qualification Standard — Industrial market (per IR/Infineon)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin