IRFH7084TRPBF vs IRFH8201TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH7084TRPBF tarafından Infineon ve IRFH8201TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH7084TRPBF IRFH8201TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55C to +150C
Paket 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC at VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin