IRFH7084TRPBF vs IRFH8201TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH7084TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH8201TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH7084TRPBF IRFH8201TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (TJ) -55C to +150C
پیکیج 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC at VGS=10V
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں