IRFH8318TRPBF vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH8318TRPBF tarafından Infineon ve IQDH35N03LM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH8318TRPBF IQDH35N03LM5CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Paket PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 1
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V)
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
Klorürsüz — Yes
Channel Type — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin