IRFH8318TRPBF vs IQDH35N03LM5CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH8318TRPBF بذریعہ Infineon اور IQDH35N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF ✓ فعال
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH8318TRPBF IQDH35N03LM5CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
پیکیج PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +150°C —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 1
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V)
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C
ہیلوجن فری — Yes
Channel Type — N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں