IRFR2405TRPBF vs IRF8736TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR2405TRPBF tarafından Infineon ve IRF8736TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR2405TRPBF IRF8736TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
Klorürsüz [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) Yes (fully characterized avalanche voltage)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin